灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。

　低温多晶硅面板主要生产大厂有三洋、东芝、松下、ST－LCD、富士通、Seiko－Epson及Sony等多家国际厂商。目前在携带型资讯产品、数位相机、监视器、投影机等产品上都可应用低温多晶矽面板。 　　太阳能电池的材料要考虑带隙的值，同时要能最大限度地吸收太阳光。在这一点上，单晶硅和多晶硅都不可能被首选。但是，选用材料时以下一些因素也不可忽视。首先，材料易于获得并且无毒；其次，电池的制备工艺简便、重复性好，便于大规模生产；材料还要具有长期稳定性。在这些方面硅材料则具有很大的竞争力。硅是地球上蕴藏量最多的元素之一，稳定无毒，硅材料和微电子技术也已经发展得相当成熟。目前，虽然硅电池的转换效率是制约太阳能电池发展的瓶颈，但是与其他材料制备的商用太阳能电池相比，它仍然是转换效率最高的。 　　此外，有关提高硅太阳能电池的转换效率和降低成本的研究工作也在不断进展，这将为太阳能电池的开发和广泛应用创造美好的前景。

　低温多晶硅面板主要生产大厂有三洋、东芝、松下、ST－LCD、富士通、Seiko－Epson及Sony等多家国际厂商。目前在携带型资讯产品、数位相机、监视器、投影机等产品上都可应用低温多晶矽面板。 　　太阳能电池的材料要考虑带隙的值，同时要能最大限度地吸收太阳光。在这一点上，单晶硅和多晶硅都不可能被首选。但是，选用材料时以下一些因素也不可忽视。首先，材料易于获得并且无毒；其次，电池的制备工艺简便、重复性好，便于大规模生产；材料还要具有长期稳定性。在这些方面硅材料则具有很大的竞争力。硅是地球上蕴藏量最多的元素之一，稳定无毒，硅材料和微电子技术也已经发展得相当成熟。目前，虽然硅电池的转换效率是制约太阳能电池发展的瓶颈，但是与其他材料制备的商用太阳能电池相比，它仍然是转换效率最高的。 　　此外，有关提高硅太阳能电池的转换效率和降低成本的研究工作也在不断进展，这将为太阳能电池的开发和广泛应用创造美好的前景。

　低温多晶硅面板主要生产大厂有三洋、东芝、松下、ST－LCD、富士通、Seiko－Epson及Sony等多家国际厂商。目前在携带型资讯产品、数位相机、监视器、投影机等产品上都可应用低温多晶矽面板。 　　太阳能电池的材料要考虑带隙的值，同时要能最大限度地吸收太阳光。在这一点上，单晶硅和多晶硅都不可能被首选。但是，选用材料时以下一些因素也不可忽视。首先，材料易于获得并且无毒；其次，电池的制备工艺简便、重复性好，便于大规模生产；材料还要具有长期稳定性。在这些方面硅材料则具有很大的竞争力。硅是地球上蕴藏量最多的元素之一，稳定无毒，硅材料和微电子技术也已经发展得相当成熟。目前，虽然硅电池的转换效率是制约太阳能电池发展的瓶颈，但是与其他材料制备的商用太阳能电池相比，它仍然是转换效率最高的。 　　此外，有关提高硅太阳能电池的转换效率和降低成本的研究工作也在不断进展，这将为太阳能电池的开发和广泛应用创造美好的前景。

　低温多晶硅的技术特点 　　低温多晶硅技术主要特点在於改变液晶构造以提昇传统非晶矽液晶技术性能及降低制造成本。由于LTPS技术可提升电子迁移率达200（cm2／V－sec），有利於TFT元件小型化，并提高面板开口率，使得显示亮度增加、降低耗电率。此外，低温制程有利于使用玻璃基板，而可大幅降低生产成本。

　低温多晶硅的优点 　　1、 把驱动IC的外围电路集成到面板基板上的可行性更强； 　　2、 反应速度更快，外观尺寸更小，联结和组件更少； 　　3、 面板系统设计更简单； 　　4、 面板的稳定性更强； 　　5、 解析度更高。

低温多晶硅的工作原理 　　低温多晶硅制程是利用准分子雷射作为热源，雷射光经过投射系统後，会产生能量均匀分布的雷射光束，投射于非晶矽结构的玻璃基板上，当非晶矽结构玻璃基板吸收准分子雷射的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，所以一般玻璃基板皆可适用。

　多晶硅的特点 　　灰色金属光泽。密度2。32～2。34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。 　　高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

　多晶硅的特点 　　灰色金属光泽。密度2。32～2。34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。 　　高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

　什么是多晶硅 　　多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。 　　多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。

　　多晶硅（polycrystalline silicon ），单质硅的一种形态。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料。多晶硅又是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。